+38 044 223 9060, 095 820 7848, 098 702 5697, order@bookshop.ua Пн-Пт: 10-18.

Доставка:
по Киеву и Украине от 35 грн
подробнее

Скидки:
до 15% на товар и до 50% на доставку
подробнее

Оплата:
при получении или предоплата
подробнее

Книги, лучшее за 30 дней:

0

Электронные свойства дислокации в полупроводниках.

ID: 131957

Электронные свойства дислокации в полупроводниках

Нет в продаже

Оставить заявку

Мы обязательно найдем Вам этот товар.

Издательство: Едиториал УРСС
c. 320
2000 г.
Твердый переплет
ISBN: 5-8360-0068-9
Формат: 84x104/32



Все издания этой книги
 

Данную книгу можно считать первым в мировой практике изданием, в котором на современном уровне представлены электронные свойства дислокации в полупроводниках Ge и Si и в полупроводниковых соединениях A2B6. Книга выполнена в виде нескольких обзорныхстатей, написанных академиком Ю.А.Осипьяном совместно с его учениками, являющимися ведущими специалистами в области физики дислокации в полупроводниках. В книге проведено систематическое изложение современных данных по влиянию дислокации на электронный энергетический спектр, электрические и оптические характеристики полупроводников. Подробно рассмотрено взаимодействие дислокации с другими дефектами и примесями. Книга предназначена для научных сотрудников и инженеров, специализирующихся вобласти физики твердого тела, а также для преподавателей, аспирантов и студентов соответствующих специальностей.

Комментарий: Под редакцией академика Ю.А.Осипьяна
Вы посмотрели следующие позиции: 
Время генерации страницы : 0